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    金士頓DDR3的工作電壓從DDR2時代的1.8V降至1.5V，這一改進(jìn)可使DDR3內(nèi)存的功耗減少30%左右，同時I/O緩沖的電壓和驅(qū)動阻抗也降低了。功耗的降低會直接導(dǎo)致內(nèi)存發(fā)熱的減少，從而增強(qiáng)長時間工作時的穩(wěn)定性，并且減少機(jī)箱內(nèi)部的發(fā)熱還可以減少整個系統(tǒng)所需的散熱措施，進(jìn)而降低風(fēng)扇等部件的噪音和振動。

    相對于DDR2內(nèi)存的4bit預(yù)取機(jī)制，DDR3內(nèi)存模組最大的改進(jìn)就是采用8bit預(yù)取機(jī)制設(shè)計(jì)，也就是內(nèi)部同時并發(fā)8位數(shù)據(jù)。在相同頻率下，DDR3的數(shù)據(jù)傳輸率是DDR2的兩倍，性能表現(xiàn)也更為出色。此外，DDR3內(nèi)存還增加了點(diǎn)對點(diǎn)的拓樸ZQ校準(zhǔn)等全新功能。此外，DDR3內(nèi)存的工作頻率為1600MHz，較標(biāo)準(zhǔn)的1333MHz內(nèi)存而言，帶寬增加了20%，更大的內(nèi)存寬帶意味著CPU與內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)交換會更加加速，進(jìn)而提升系統(tǒng)整體性能和流暢度。

    編輯點(diǎn)評：金士頓系列內(nèi)存為您提供了多種大容量套裝選擇，可以輕松打造充足的運(yùn)算空間，完全滿足系統(tǒng)對內(nèi)存的要求， 無論是日常辦公、D游戲、CAD繪圖、還是視頻處理，金士頓系列內(nèi)存都能夠給您帶來流暢的使用體驗(yàn)。

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